半导体工业制造过程中需要大量高水质纯水，水的电阻率一般需大于10MΩ·cm，所产生的废水大致可区分为蚀刻废水、光刻废水、滤管清洗废水、反渗透废水、离子交换树脂废水，机械划片和研磨(CMP)废水等等。

电子封装是集成电路芯片生产完成后不可缺少的一道工序，是器件到系统的桥梁。其中CMP过程中减薄划片废水因含有大量的纳米级微粒，在处理上较复杂，是目前半导体产业废水处理最常遭遇的难题。此类废水主要产生的途径，在于电子封装工艺中晶圆减薄划片阶段，需采用大量的纯水、超纯水来洗净晶圆表面上所残留的悬浮微颗粒或金属离子污染物，纯水作为漂洗水可达封装总工序用水量的30-40%左右，用水量大。

划片研磨废水特性

Wastewater Character

1.主要污染物为：大量的不易沉降的纳米级单晶硅颗粒和表面活性剂

2. 废水水质：COD<70mg/L、含盐量极低，电导<100μs/cm，相比于地下水或

自来水的导电度(约250μs/cm)其电导率偏低。

基于该水质实际情况，深圳市国泰环境采用物理方式分离出废水中的硅粉和表面活性剂，处理后的水，可作为纯水系统的水源回用到生产线，解决环保问题，减少自来水用水量,节省生产成本。

其具体技术方案如下：

首先将减薄划片切割废水经过纳米级气浮装置，采用溶气方式曝气，溶气水释放率达到95%∼100%，气体溶解度为100%，使气体弥散时的微气泡分布均匀，平局气泡直径小于10um，可使表面活性剂漂浮于表面，且含水量少于3%，用刮渣板去除，表面活性剂去除率可达到70%∼80%。

其次采用破稳粉+改良压滤的方式，截留废水中70%的颗粒物，形成固液分离。